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科学家研制2D金属芯片:让储存速率提高100倍

2020-07-03 发布于 遂平百事通
 

本文来自快科技

宁波华翔配资科学家正在积极,希望开发出下一代数据存储质料,以提高现有存储速率。

据英国《自然·物理学》杂志近日发表的一项研究,一个美国联合研究团队利用层状二碲化钨制成了二维(2D)金属芯片,其厚度仅三个原子,其可取代硅芯片存储数据,且比硅芯片更麋集、更小、更快,也更节能,同时储存速率提高了100倍之多。

宁波华翔配资研究职员对二碲化钨薄层结构施加微小电流,使其奇数层相对于偶数层产生稳定的偏移,并利用奇偶层的分列来存储二进制数据。数据写入后,他们再通过一种称为贝利曲率的量子特性,在不滋扰分列的情况下读取数据。

与现有的基于硅的数据存储体系相比,新体系具有巨大上风——它可以将更多的数据添补到极小的物理空间中,而且非常节能。别的,其偏移产生得云云之快,以至于数据写入速率可以比现有技能快100倍。

对超薄层举行非常小的调解,就会对它的功效特性产生很大的影响,而人们可以利用这一知识来设计新型节能装备,以实现可连续发展和更智慧的未来存储方式。

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